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Tipo: Trabalho de Conclusão de Curso
Título : Análise de dispositivos baseados em guias de onda integrados ao substrato
Autor(es): Silva, Jean Senger da
Primeiro Orientador: Heckler, Marcos Vinício Thomas
Resumo: Neste trabalho, será abordada a análise de dispositivos baseados em guias de onda integrados ao substrato (SIW). Duas técnicas de alimentação, através de transições, são analisadas. Neste trabalho, as transições SIW-microfita e SIW-coaxial são estudadas. Para a transição microfita-SIW, dois diâmetros de vias metálicas foram considerados. Isto ocorreu devido ao diâmetro do fio de cobre existente no laboratório ter sido modificado durante o estudo. Para o diâmetro das vias em 1,0 mm, o coeficiente de reflexão obtido foi de −42,00 dB, enquanto que, para uma via de 0,6 mm de diâmetro, a reflexão foi de −29,61 dB. Para a transição coaxial-SIW apenas vias com diâmetro de 0,6 mm foram utilizadas. De um lado do guia, foi utilizada transição coaxial-SIW e, do outro, microfita-SIW, o que foi proposto para fins de medição. A reflexão obtida com esta transição foi de −14,22 dB, sendo este valor obtido com o simulador eletromagnético ANSYS HFSS. Defasadores implementados através da inserção de vias de ar foram estudados. O princípio de operação foi a variação da constante dielétrica efetiva do substrato, de forma a produzir variação da constante de fase na estrutura. As vias de ar foram inseridas no centro do guia, pois é nesta parte que ocorre a maior concentração de linhas de campo elétrico. As variações de fase foram analisadas apenas para vias com 0,6 mm de diâmetro. Empregando-se a transição microfita-SIW, foi possível controlar a variação de fase até um valor máximo de 60,03◦. Com a transição coaxial-SIW, a variação de fase máxima simulada foi de 45,25◦.
Resumen : In this work, the analysis of devices based on surface-integrated waveguides (SIW). Two transitions to SIW have been analyzed. In this work, the microstrip-SIW and coaxial-SIW transitions are studied. For the microstrip-SIW transition, two diameters for the metallic vias have been considered. This was because the diameter copper wire existing in the laboratory was modified during the study. For the diameter for 1.0 mm, reflection coefficient level of −42.00 dB was obtained, whereas vias with diameter of 0.6 mm yielded −29.61 dB. For the coaxial-SIW transition, only vaias with diameter of 0.6 mm were used. On one side of the guide, a coaxial-SIW transition was used, whereas a microstrip-SIW was used to terminate the waveguide. In this case, the reflection coefficient was −14.22 dB, which has been obtained with simulations carried out with ANSYS HFSS. Phase shifters implemented with air holes were studied. The main idea was to change the effective dielectric constant of the substrate and, consequently, to yield an variation on the phase constant of the strucutre. The air holes have been inserted in the center of the waveguide, since this is the region where the highest concentration of electric field lines occurs. Phase variations were analyzed only for vias with diameter equal to 0.6 mm. By using microstrip-SIW transitions, the phase shift could be set up to a maximum of 60.03◦. For the coaxial-SIW transition, the maximum simulated phase shift was 45.25◦.
Palabras clave : Engenharia de telecomunicações
SIW
Circuitos impresso
Transformadores defasadores
Microondas
Telecommunication engineering
Printed-circuit techniques
Phase shifter transformers
Microwaves
CNPQ: CNPQ::ENGENHARIAS
Idioma: por
metadata.dc.publisher.country: Brasil
Editorial : Universidade Federal do Pampa
Sigla da Instituição: UNIPAMPA
Campus: Campus Alegrete
Citación : SILVA, Jean Senger da. Análise de dispositivos baseados em guias de onda integrados ao Substrato. Orientador: Marcos Vinício Thomas Heckler. 2021. 64p. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharel em Engenharia de Telecomunicações) - Universidade Federal do Pampa, Curso de Engenharia de Telecomunicações, Alegrete, 2021.
Tipo de acesso: Acesso Aberto
URI : https://repositorio.unipampa.edu.br/jspui/handle/riu/5995
Fecha de publicación : 4-oct-2021
Aparece en las colecciones: Engenharia de Telecomunicações

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